На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IXGR35N120B - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXGR35N120B

Наименование модели: IXGR35N120B

9 предложений от 9 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B IGBT Single Transistor, 70A, 3.3V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins
ЧипСити
Россия
IXGR35N120B
IXYS
1 144 ₽
ChipWorker
Весь мир
IXGR35N120B
IXYS
1 217 ₽
IXGR35N120B
IXYS
по запросу
Akcel
Весь мир
IXGR35N120B
IXYS
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM
VCES
IC25
VCE(sat)
tfi(typ) 160 ns 115 ns

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 70 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
  • Power Dissipation Max: 200 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Current Ic Continuous a Max: 70 А
  • Fall Time tf: 160 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 0.5°C/W
  • Package / Case: ISOPLUS-247
  • Pin Configuration: Single
  • Power Dissipation: 200 Вт
  • Rise Time: 160 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: NPN
  • Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGR35N120B - IXYS IGBT, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России