Datasheet IXGR35N120B - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXGR35N120B
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B IGBT Single Transistor, 70A, 3.3V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins | |||
IXGR35N120B IXYS | 1 109 ₽ | ||
IXGR35N120B IXYS | 1 173 ₽ | ||
IXGR35N120B IXYS | по запросу | ||
IXGR35N120B IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM
VCES
IC25
VCE(sat)
tfi(typ) 160 ns 115 ns
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 70 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Current Ic Continuous a Max: 70 А
- Fall Time tf: 160 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.5°C/W
- Package / Case: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Single
- Power Dissipation: 200 Вт
- Rise Time: 160 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть