Datasheet IXGR50N60B2D1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

Купить IXGR50N60B2D1 на РадиоЛоцман.Цены — от 569 до 1 002 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGR50N60B2D1 IGBT Single Transistor, Isolated, 68A, 2.2V, 200W, 600V, TO-247AD, 3Pins
ЧипСити Россия	IXGR50N60B2D1 IXYS	569 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXGR50N60B2D1 IXYS	1 002 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXGR50N60B2D1 IXYS	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IXGR50N60B2D1 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM
B2-Class High Speed IGBTs
IXGR 50N60B2 IXGR 50N60B2D1
(Electrically Isolated Back Surface)
Preliminary Data Sheet

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 68 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
• Power Dissipation Max: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: ISOPLUS-247
• Current Ic Continuous a Max: 60 А
• Fall Time tf: 65 нс
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.6°C/W
• Package / Case: ISOPLUS-247
• Pin Configuration: Copack (FRD)
• Power Dissipation: 200 Вт
• Rise Time: 65 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: NPN
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть