Datasheet IXGR50N60B2D1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXGR50N60B2D1

Наименование модели: IXGR50N60B2D1

Купить IXGR50N60B2D1 на РадиоЛоцман.Цены — от 593 до 1 043 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGR50N60B2D1 IGBT Single Transistor, Isolated, 68A, 2.2V, 200W, 600V, TO-247AD, 3Pins
ChipWorker Весь мир	IXGR50N60B2D1 IXYS	593 ₽
ЧипСити Россия	IXGR50N60B2D1 IXYS	980 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IXGR50N60B2D1	по запросу
Augswan Весь мир	IXGR50N60B2D1 IXYS	по запросу

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM
B2-Class High Speed IGBTs
IXGR 50N60B2 IXGR 50N60B2D1
(Electrically Isolated Back Surface)
Preliminary Data Sheet

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 68 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
Power Dissipation Max: 200 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Корпус транзистора: ISOPLUS-247
Current Ic Continuous a Max: 60 А
Fall Time tf: 65 нс
Junction to Case Thermal Resistance A: 0.6°C/W
Package / Case: ISOPLUS-247
Pin Configuration: Copack (FRD)
Power Dissipation: 200 Вт
Rise Time: 65 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: NPN
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть