Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet IXGR60N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXGR60N60C3C1

Наименование модели: IXGR60N60C3C1

9 предложений от 9 поставщиков
Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 75A, 2.5V, 170W, 600V, TO-247AD, 3Pins
ChipWorker
Весь мир
IXGR60N60C3C1
IXYS
61 ₽
ЧипСити
Россия
IXGR60N60C3C1
IXYS
2 199 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IXGR60N60C3C1
IXYS
2 369 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
IXGR60N60C3C1
IXYS
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT,600V,30A,ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
(Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C3C1
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
= = Ј =

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 75 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
  • Power Dissipation Max: 170 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGR60N60C3C1 - IXYS IGBT,600V,30A,ISOPLUS247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка