Datasheet IXGR60N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXGR60N60C3C1
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 75A, 2.5V, 170W, 600V, TO-247AD, 3Pins | |||
IXGR60N60C3C1 IXYS | 63 ₽ | ||
IXGR60N60C3C1 IXYS | 1 738 ₽ | ||
IXGR60N60C3C1 IXYS | по запросу | ||
IXGR60N60C3C1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT,600V,30A,ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
(Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C3C1
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
= = Ј =
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 75 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- Power Dissipation Max: 170 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Количество выводов: 3
RoHS: есть