Datasheet IXSR35N120BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXSR35N120BD1
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | |||
IXSR35N120BD1 IXYS | 1 347 ₽ | ||
IXSR35N120BD1 IXYS | по запросу | ||
IXSR35N120BD1 IXYS | по запросу | ||
IXSR35N120BD1 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
IGBT with Diode ISOPLUS 247TM
Short Circuit SOA Capability
IXSR 35N120BD1
(Electrically Isolated Backside)
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 70 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.6 В
- Power Dissipation Max: 250 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Current Ic Continuous a Max: 70 А
- Fall Time tf: 180 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.5°C/W
- Package / Case: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Copack (FRD)
- Power Dissipation: 250 Вт
- Rise Time: 180 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть