Datasheet Infineon IGB110S101XTMA1 — Даташит

Производитель	Infineon
Серия	IGB110S101
Модель	IGB110S101XTMA1

IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности.

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 1.2 Мб, Язык: анг., Версия: 01_00, Файл закачен: 23 апр 2025, Страниц: 18
CoolGaN Transistor 100 V G3

Выписка из документа

Цены

Подробное описание

Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным выбором для надежной работы в требовательных приложениях с высоким напряжением и током.

Статус

Статус продукта

В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Модельный ряд

Серия: IGB110S101 (1)

IGB110S101XTMA1

Классификация производителя

Power > Gallium nitride (GaN) > GaN transistors