Datasheet NGD15N41CLT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, N CH, 15 А, 410 В, DPAK — Даташит

Купить NGD15N41CLT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 6 560 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков , Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 107000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
ЧипСити Россия	NGD15N41CLT4G Littelfuse	74 ₽	Купить
727GS Весь мир	NGD15N41CLT4G Littelfuse	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	NGD15N41CLT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NGD15N41CLT4G Littelfuse	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, N CH, 15 А, 410 В, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL
Preferred Device
Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 15 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 410 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 410 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Рассеиваемая мощность максимальная: 107 Вт

RoHS: есть