Datasheet NGD15N41CLT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, N CH, 15 А, 410 В, DPAK — Даташит

ON Semiconductor NGD15N41CLT4G

Наименование модели: NGD15N41CLT4G

Купить NGD15N41CLT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 7 593 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 107000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
Akcel Весь мир	NGD15N41CLT4G Littelfuse	от 36 ₽
Utmel Весь мир	NGD15N41CLT4G Littelfuse	от 37 ₽
ЧипСити Россия	NGD15N41CLT4G Littelfuse	86 ₽
AiPCBA Весь мир	NGD15N41CLT4G ON Semiconductor	120 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, N CH, 15 А, 410 В, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL
Preferred Device
Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Данные для моделирования

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 15 А
Collector Emitter Voltage Vces: 410 В
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 410 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: D-PAK
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
Рассеиваемая мощность максимальная: 107 Вт

RoHS: есть