Datasheet SGW30N60 - Infineon Даташит IGBT, FAST — Даташит
Наименование модели: SGW30N60
![]() 47 предложений от 25 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A | |||
SGW30N60FKSA1 Infineon | 130 ₽ | ||
SGW30N60FK Infineon | от 469 ₽ | ||
SGW30N60FKSA1 Infineon | 701 ₽ | ||
SGW30N60HSFKSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, FAST
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 41 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 250 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- Current Ic @ Vce Sat: 30 А
- Current Ic Continuous a Max: 41 А
- Current Temperature: 25°C
- Device Marking: SGW30N60
- Fall Time tf: 70 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Min: -55°C
- Package / Case: TO-247AC
- Power Dissipation: 250 Вт
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 250 Вт
- Pulsed Current Icm: 112 А
- Rise Time: 35 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5