Datasheet SGW30N60 - Infineon Даташит IGBT, FAST — Даташит
Наименование модели: SGW30N60
Купить SGW30N60 на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 1 112 ₽ 32 предложений от 22 поставщиков Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт | |||
G30T60 K30N60 IGW30N60T IKW30N60T SGW30N60 G30N60 K30T60 TO-3P и оригинал в наличии | 37 ₽ | ||
SGW30N60HSFKSA1 Infineon | 114 ₽ | ||
SGW30N60HSFKSA1 Infineon | 226 ₽ | ||
SGW30N60HSFKSA1 Infineon | от 1 112 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, FAST
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 41 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 250 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- Current Ic @ Vce Sat: 30 А
- Current Ic Continuous a Max: 41 А
- Current Temperature: 25°C
- Device Marking: SGW30N60
- Fall Time tf: 70 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Min: -55°C
- Package / Case: TO-247AC
- Power Dissipation: 250 Вт
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 250 Вт
- Pulsed Current Icm: 112 А
- Rise Time: 35 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5