Datasheet SKW20N60 - Infineon Даташит IGBT, FAST — Даташит

Infineon SKW20N60

Наименование модели: SKW20N60

Купить SKW20N60 на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 521 ₽ 19 предложений от 18 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 20A
727GS Весь мир	SKW20N60FKSA1 Infineon	от 106 ₽
Maybo Весь мир	SKW20N60HSFKSA1 Infineon	200 ₽
МосЧип Россия	SKW20N60HS_08 Infineon	по запросу
LifeElectronics Россия	SKW20N60 Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, FAST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SKW20N60
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
· 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses · Short circuit withstand time 10 µs · Designed for: - Motor controls - Inverter · NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability · Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
C
G

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 40 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
Power Dissipation Max: 179 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3
Current Ic @ Vce Sat: 20 А
Current Ic Continuous a Max: 40 А
Current Temperature: 25В°C
Device Marking: SKW20N60
Fall Time tf: 65 нс
Full Power Rating Temperature: 25В°C
Junction Temperature Tj Max: 150В°C
Junction Temperature Tj Min: -55В°C
Lead Spacing: 2.54 мм
Количество транзисторов: 1
Package / Case: TO-247
Pin Format: 1 г, 2C, 3E
Power Dissipation: 179 Вт
Power Dissipation Pd: 179 Вт
Power Dissipation Ptot Max: 179 Вт
Pulsed Current Icm: 80 А
Rise Time: 36 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - WLK 5