Datasheet STGB10NC60HDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 10 А DВІPAK — Даташит

Купить STGB10NC60HDT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 316 ₽ 39 предложений от 19 поставщиков IGBTvery fast 600В/10А/65Вт/Uкэ нас.=1.7В/Uзи=± 20В/trise=27нс/tfall=85нс/Qз=19.2нК + Диод
Стандарт СИЗ Россия	STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics	18 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	100% оригинальный новый STGB10NC60HDT4 TO263 GB10NC60HD N-канальный 600 в 10 А бтиз трубка 5,0	41 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics	227 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, N 600 В 10 А DВІPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGB10NC60HD - STGD10NC60HD STGF10NC60HD - STGP10NC60HD
600 V - 10 A - very fast IGBT
Features
Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
3 1

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 65 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Ic Continuous a Max: 10 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Рассеиваемая мощность максимальная: 65 Вт
• Pulsed Current Icm: 40 А
• Rise Time: 5 нс
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть