Datasheet STGB3NB60SDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 3 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: STGB3NB60SDT4
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R | |||
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics | 359 ₽ | ||
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics | 441 ₽ | ||
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics | по запросу | ||
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, SMD, 600 В, 3 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
STGB3NB60SD
N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESHTM IGBT
TYPE STGB3NB60SD
s
VCES 600 V
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 6 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
- Power Dissipation Max: 70 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -60°C to +175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 6 А
- Fall Time tf: 720 нс
- Package / Case: D2-PAK
- Power Dissipation: 70 Вт
- Pulsed Current Icm: 25 А
- Rise Time: 150 нс
- Termination Type: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Fischer Elektronik - WLPG 02