Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics Даташит IGBT, SOT-227 — Даташит
Наименование модели: STGE200NB60S
Купить STGE200NB60S на РадиоЛоцман.Цены — от 853 до 8 496 ₽ 25 предложений от 15 поставщиков N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 150 а семейства powermeshTM | |||
STGE200NB60S STMicroelectronics | 853 ₽ | ||
STGE200NB60S STMicroelectronics | 1 875 ₽ | ||
STGE200NB60S STMicroelectronics | 3 119 ₽ | ||
STGE200NB60S | 8 496 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT, SOT-227
Краткое содержание документа:
STGE200NB60S
N-channel 150A - 600V - ISOTOP Low drop PowerMESHTM IGBT
General features
TYPE VCES VCE(sat) (typ.) 1.2V 1.3V IC 150A 200A TC 100°C 25°C
STGE200NB60S 600V
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT Module
- DC Collector Current: 200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 В
- Power Dissipation Max: 600 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Current Ic Continuous a Max: 150 А
- Package / Case: ISOTOP
- Power Dissipation: 600 Вт
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Pulsed Current Icm: 400 А
- Rise Time: 112 нс
- Termination Type: Screw
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Nettlefolds - MB04040010007FA
- SCHRODER - 13459