Datasheet STGE50NC60VD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 50 А ISOTOP — Даташит

Купить STGE50NC60VD на РадиоЛоцман.Цены — от 945 до 2 555 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD IGBT Single Transistor, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
Maybo Весь мир	STGE50NC60VD STMicroelectronics	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	STGE50NC60VD STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STGE50NC60VD STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STGE50NC60VD STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, N 600 В 50 А ISOTOP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGE50NC60VD
50 A - 600 V very fast IGBT
Features
High current capability High frequency operation Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Applications

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT Module
• DC Collector Current: 90 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Power Dissipation Max: 260 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Package / Case: ISOTOP
• Power Dissipation: 260 Вт
• Power Dissipation Pd: 260 Вт
• Pulsed Current Icm: 200 А
• Rise Time: 17 нс
• Termination Type: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Nettlefolds - MB04040010007FA
• SCHRODER - 13459