Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet Fortune Semiconductor FS312F-G — Даташит

ПроизводительFortune Semiconductor
СерияFS312F-G
МодельFS312F-G

ИС для защиты одноэлементной литий-ионной / полимерной батареи

Datasheets

Datasheet FS312F-G
PDF, 980 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 июн 2025, Страниц: 13
The FS312F-G protection IC for Li-ion/polymer rechargeable one-cell batteries maintains high accurate detections of the abnormal cell activities and the corresponding delay time in order to have protections against the events of over charge, over discharge, and over current.
Выписка из документа
6 предложений от 6 поставщиков
Микросхемы заряда и управления батарейным питанием
Элитан
Россия
FS312F-G
Fortune Semiconductor
168 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
FS312F-G
по запросу
Augswan
Весь мир
FS312F-G
по запросу
Maybo
Весь мир
FS312F-G
Littelfuse
по запросу
Решения для систем охлаждения

Подробное описание

Защитная микросхема FS312F-G для литий-ионных/полимерных одноэлементных аккумуляторов обеспечивает высокую точность обнаружения аномальной активности элементов и соответствующее время задержки для защиты от событий перезаряда, переразряда и перегрузки по току.

При наблюдении избыточного напряжения на аккумуляторе дольше определенного времени FS312F-G активирует защитную защиту и отключает внешний FET-M2, чтобы предотвратить перезарядку аккумулятора.

Когда напряжение аккумулятора падает ниже определенного напряжения дольше определенного времени, FS312F-G обнаруживает состояние переразряда и отключает внешний FET-M1, чтобы прекратить переразряд. Защита от перегрузки по току срабатывает, когда во время фазы разряда в нормальных условиях обнаруживается большой ток, и FS312F-G отключает FET-M1.

Функции:

  • Низкий ток питания
  • Напряжение обнаружения перезаряда: 4,25±0,025 В
  • Напряжение сброса избыточного заряда: 4,145±0,05 В
  • Напряжение обнаружения переразряда: 2,90±0,08 В
  • Напряжение отключения при переразряде: 3,0±0,08 В
  • Напряжение обнаружения перегрузки по току: 150±30 мВ
  • Напряжение обнаружения короткого замыкания: 1,35 В
  • Время задержки, генерируемое внутренней цепью
  • Напряжение обнаружения зарядного устройства: -1,35 В
  • Сброс резистора для защиты от перегрузки по току: >500 кОм
  • Широкий диапазон напряжения питания: 1,5 ~ 9,0 В
  • Пакет SOT-23-6

Классификация производителя

  • Battery Management > Protection IC

Варианты написания:

FS312FG, FS312F G

На английском языке: Datasheet Fortune Semiconductor FS312F-G

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка