Datasheet Fortune Semiconductor FS8205A — Даташит
| Производитель | Fortune Semiconductor |
| Серия | FS8205A |
| Модель | FS8205A |
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Datasheets
Datasheet FS8205A
PDF, 775 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 июн 2025, Страниц: 6
Dual N-Channel Power MOSFET
Dual N-Channel Power MOSFET
Выписка из документа
 Купить FS8205A на РадиоЛоцман.Цены — от 2.30 до 31 ₽32 предложений от 17 поставщиков МОП-Транзистор 20 В 6 А 19,5 м-при 4,5 В, 3 А 1,5 Вт 700 мВ при 250мкА 58 пФ при 10... | |||
| FS8205A | от 3.86 ₽ | ||
| Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ FS8205A Fortune Semiconductor | 26 ₽ | ||
| Выпрямители FS8205A (10 шт.) | 31 ₽ | ||
| FS8205A Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve low on-resistance, extremely efficient and cost-effective device best suited for lithium-ion Battery charging and discharging switch.
The TSSOP8 package is universally used for all commercial-industrial applications.
Features:
• Low on-resistance
• RDS(ON) = 27 mΩ MAX.
(VGS = 4.5V, ID = 6A)
• RDS(ON) = 35 mΩ MAX. (VGS = 2.5V, ID = 5A)
• Common-drain type
Классификация производителя
- MOSFETs Arrays
