Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IXA55I1200HJ - IXYS Даташит IGBT,1200V,84A,ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXA55I1200HJ

Наименование модели: IXA55I1200HJ

21 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: IGBT; GenX3TM; 1,2кВ; 54А; 290Вт; PLUS247TM
Кремний
Россия и страны СНГ
IXA55I1200HJ
IXYS
1 111 ₽
IXA55I1200HJ
IXYS
1 322 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
IXA55I1200HJ
Littelfuse
1 417 ₽
IXA55I1200HJ
IXYS
от 2 375 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT,1200V,84A,ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IXA55I1200HJ
preliminary
XPT IGBT
Single IGBT
(C) 2

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 84 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
  • Power Dissipation Max: 290 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXA55I1200HJ - IXYS IGBT,1200V,84A,ISOPLUS247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка