Datasheet IXA60IF1200NA - IXYS Даташит IGBT,1200V,88A,SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXA60IF1200NA
![]() 32 предложений от 17 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXA60IF1200NA IGBT Single Transistor, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 Pins | |||
IXA60IF1200NA Littelfuse | 1 598 ₽ | ||
IXA60IF1200NA IXYS | 1 699 ₽ | ||
IXA60IF1200NA IXYS | 2 384 ₽ | ||
IXA60IF1200NA IXYS | от 8 881 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT,1200V,88A,SOT-227B
Краткое содержание документа:
IXA60IF1200NA
XPT IGBT
Copack
C (3)
I C25 = = VCES VCE(sat)typ =
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 88 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
- Power Dissipation Max: 290 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: SOT-227B
- Количество выводов: 4
RoHS: есть