Datasheet IXDR30N120 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

Купить IXDR30N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 206 до 1 065 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 IGBT Single Transistor, Isolated, 50A, 2.4V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins
AiPCBA Весь мир	IXDR30N120D1 IXYS	217 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IXDR30N120D1 IXYS	313 ₽	Купить
IC Home Весь мир	IXDR30N120D1 IXYS	951 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	IXDR30N120 IXYS	1 065 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IXDR 30N120 D1 IXDR 30N120
High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
(Electrically Isolated Back Side)
Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
C G G C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
• Power Dissipation Max: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: ISOPLUS-247
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Fall Time tf: 70 нс
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.6°C/W
• Package / Case: ISOPLUS-247
• Pin Configuration: Single
• Power Dissipation: 200 Вт
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Rise Time: 70 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: NPN
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть