Datasheet IXGA30N120B3 - IXYS Даташит IGBT,1200V,30A,TO-263 — Даташит

Купить IXGA30N120B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 119 до 1 331 ₽ 32 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	IXGA30N120B3-TRL	337 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXGA30N120B3 IXYS	398 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXGA30N120B3 IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXGA30N120B3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT,1200V,30A,TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GenX3TM 1200V IGBTs
High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching
IXGA30N120B3 IXGP30N120B3 IXGH30N120B3
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
TO-263 (IXGA)

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 60 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
• Power Dissipation Max: 300 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть