Datasheet IXGA30N120B3 - IXYS Даташит IGBT,1200V,30A,TO-263 — Даташит
Наименование модели: IXGA30N120B3
![]() 32 предложений от 16 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins | |||
IXGA30N120B3 IXYS | от 381 ₽ | ||
IXGA30N120B3-TRL IXYS | 439 ₽ | ||
IXGA30N120B3 IXYS | 722 ₽ | ||
IXGA30N120B3 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT,1200V,30A,TO-263
Краткое содержание документа:
GenX3TM 1200V IGBTs
High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching
IXGA30N120B3 IXGP30N120B3 IXGH30N120B3
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
TO-263 (IXGA)
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 60 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
- Power Dissipation Max: 300 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть