Datasheet IXGA30N60C3C1 - IXYS Даташит IGBT,600V,30A,TO-263 — Даташит
Наименование модели: IXGA30N60C3C1
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-263, 3Pins | |||
IXGA30N60C3C1 IXYS | 19 ₽ | ||
IXGA30N60C3C1 IXYS | 1 241 ₽ | ||
IXGA30N60C3C1 IXYS | 1 472 ₽ | ||
IXGA30N60C3C1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT,600V,30A,TO-263
Краткое содержание документа:
Preliminary Technical Information
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXGH30N60C3C1
VCES IC110 VCE(sat) tfi(typ)
= = =
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 60 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
- Power Dissipation Max: 220 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть