Datasheet IXGF32N170 - IXYS Даташит IGBT, ISOI4-PAC — Даташит
Наименование модели: IXGF32N170
![]() 25 предложений от 15 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGF32N170 IGBT Single Transistor, 44A, 3.5V, 200W, 1.7kV, ISOPLUS i4-PAC, 3Pins | |||
IXGF32N170 IXYS | от 1 437 ₽ | ||
IXGF32N170 IXYS | 1 603 ₽ | ||
IXGF32N170 IXYS | от 2 710 ₽ | ||
IXGF32N170 IXYS | от 3 026 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOI4-PAC
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 44 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOi4-PAC
- Current Ic Continuous a Max: 26 А
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W
- Package / Case: ISOi4-PAC
- Pin Configuration: Single
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть