Datasheet IXGR16N170AH1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXGR16N170AH1
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, IXYS SEMICONDUCTOR IXGR16N170AH1 IGBT Single Transistor, Isolated, 16A, 5V, 120W, 1.7kV, TO-247AD, 3Pins | |||
IXGR16N170AH1 IXYS | 1 390 ₽ | ||
IXGR16N170AH1 IXYS | 1 466 ₽ | ||
IXGR16N170AH1 IXYS | по запросу | ||
IXGR16N170AH1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
Advance Technical Data
IXGR 16N170AH1 High Voltage IGBT with Diode Electrically Isolated Tab
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1700 V = 16 A = 5.0 V = 40 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 IF90 ICM SSOA (RBSOA) tSC PC VISOL TJ TJM Tstg FC
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 16 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 5 В
- Power Dissipation Max: 120 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Current Ic Continuous a Max: 16 А
- Fall Time tf: 40 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 1.04°C/W
- Package / Case: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Copack (FRD)
- Power Dissipation: 120 Вт
- Rise Time: 40 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть