Datasheet IXGR32N170AH1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXGR32N170AH1
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1700V 26A 200000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | |||
IXGR32N170AH1 IXYS | 1 906 ₽ | ||
IXGR32N170AH1 IXYS | 1 998 ₽ | ||
IXGR32N170AH1 IXYS | 2 365 ₽ | ||
IXGR32N170AH1 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
Advance Technical Information
High Voltage IGBT with Diode
Electrically Isolated Tab
IXGR 32N170AH1
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 26 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 5.2 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Current Ic Continuous a Max: 26 А
- Fall Time tf: 50 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W
- Package / Case: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Copack (FRD)
- Power Dissipation: 200 Вт
- Rise Time: 50 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть