Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRGB8B60KPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 17 А, TO-220 — Даташит

International Rectifier IRGB8B60KPBF

Наименование модели: IRGB8B60KPBF

16 предложений от 10 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
T-electron
Россия и страны СНГ
IRGB8B60KPBF
Infineon
73 ₽
IRGB8B60KPBF
Infineon
93 ₽
ЧипСити
Россия
IRGB8B60KPBF
Infineon
116 ₽
Acme Chip
Весь мир
IRGB8B60KPBF
International Rectifier
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, 600 В, 17 А, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94545C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· · · · Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

10µs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
C

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 28 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
  • Power Dissipation Max: 167 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • Current Ic Continuous a Max: 28 А
  • Fall Time Max: 56 нс
  • Fall Time tf: 56 нс
  • Package / Case: TO-220AB
  • Power Dissipation: 167 Вт
  • Power Dissipation Pd: 167 Вт
  • Power Dissipation Ptot Max: 167 Вт
  • Pulsed Current Icm: 56 А
  • Rise Time: 21 нс
  • SMD Marking: IRGB8B60K
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRGB8B60KPBF - International Rectifier IGBT, 600 V, 17 A, TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России