Datasheet IRGB8B60KPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 17 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRGB8B60KPBF
![]() 19 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB | |||
IRGB8B60KPBF Infineon | 93 ₽ | ||
IRGB8B60KPBF Infineon | от 311 ₽ | ||
IRGB8B60KPBF | по запросу | ||
IRGB8B60KPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 17 А, TO-220
Краткое содержание документа:
PD - 94545C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· · · · Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
10µs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
C
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 28 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 167 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 28 А
- Fall Time Max: 56 нс
- Fall Time tf: 56 нс
- Package / Case: TO-220AB
- Power Dissipation: 167 Вт
- Power Dissipation Pd: 167 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 167 Вт
- Pulsed Current Icm: 56 А
- Rise Time: 21 нс
- SMD Marking: IRGB8B60K
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5