Datasheet IRGPS40B120UPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 1200 В, 80 А, TO-274AA — Даташит
Наименование модели: IRGPS40B120UPBF
![]() 20 предложений от 18 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 595000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | |||
IRGPS40B120UPBF Infineon | 639 ₽ | ||
IRGPS40B120UPBF | 1 287 ₽ | ||
IRGPS40B120UPBF | 3 552 ₽ | ||
IRGPS40B120UPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 1200 В, 80 А, TO-274AA
Краткое содержание документа:
PD- 94295D
IRGPS40B120U
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast IGBT
Features
· Non Punch Through IGBT Technology.
· 10µs Short Circuit Capability. · Square RBSOA. · Positive VCE (on) Temperature Coefficient. · Super-247 Package.
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 80 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
- Power Dissipation Max: 595 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Корпус транзистора: TO-274AA
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 80 А
- Fall Time Max: 33 нс
- Package / Case: TO-274AA
- Power Dissipation: 595 Вт
- Power Dissipation Pd: 595 Вт
- Pulsed Current Icm: 160 А
- Rise Time: 25 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть