Datasheet IRG4RC10KPBF - International Rectifier Даташит IGBT, D-PAK — Даташит
Наименование модели: IRG4RC10KPBF
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 3Pin(2+Tab) DPAK | |||
IRG4RC10KPBF International Rectifier | 83 ₽ | ||
IRG4RC10KPBF International Rectifier | 111 ₽ | ||
IRG4RC10KPBF Infineon | по запросу | ||
IRG4RC10KPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, D-PAK
Краткое содержание документа:
PD 95389
IRG4RC10KPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V · Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 · Industry standard TO-252AA package · Lead-Free
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 9 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.62 В
- Power Dissipation Max: 38 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 9 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Max: 290 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: D-PAK
- Power Dissipation: 38 Вт
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Pulsed Current Icm: 18 А
- Rise Time: 24 нс
- Short Circuit Withstand Time Min: 10Вµs
- Termination Type: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Fischer Elektronik - WLPG 02