Datasheet IRG4IBC20WPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 11.8 А, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: IRG4IBC20WPBF
![]() 17 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
IRG4IBC20WPBF Infineon | от 133 ₽ | ||
IRG4IBC20WPBF Infineon | 138 ₽ | ||
IRG4IBC20WPBF | 183 ₽ | ||
IRG4IBC20WPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 11.8 А, TO-220FP
Краткое содержание документа:
PD -95636A
IRG4IBC20WPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
Benefits
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 11.8 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.16 В
- Power Dissipation Max: 34 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 11.8 А
- Current Temperature: 25°C
- Device Marking: IRG4IBC20WPbF
- Fall Time Typ: 64 нс
- Fall Time tf: 64 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-220FP
- Power Dissipation: 34 Вт
- Power Dissipation Pd: 34 Вт
- Pulsed Current Icm: 52 А
- Rise Time: 14 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5