Datasheet IRG4IBC30UDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 17 А, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: IRG4IBC30UDPBF
![]() 18 предложений от 14 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube | |||
IRG4IBC30UDPBF Infineon | 23 ₽ | ||
IRG4IBC30UDPBF Infineon | 30 ₽ | ||
IRG4IBC30UDPBF-INF Infineon | 81 ₽ | ||
IRG4IBC30UDPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 17 А, TO-220FP
Краткое содержание документа:
PD- 95598A
IRG4IBC30UDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· 2.5kV, 60s insulation voltage · 4.8 mm creapage distance to heatsink · UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes · Tighter parameter distribution · Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM outline · Lead-Free
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 17 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.95 В
- Power Dissipation Max: 45 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 17 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Max: 180 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-220FP
- Power Dissipation: 45 Вт
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
- Pulsed Current Icm: 92 А
- Rise Time: 21 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть