Datasheet IRG4PC50UD-EPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 55 А, TO-247AC — Даташит
Наименование модели: IRG4PC50UD-EPBF
![]() 18 предложений от 14 поставщиков IGBT 600V 55A 200W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | |||
IRG4PC50UD-EPBF Infineon | 292 ₽ | ||
IRG4PC50UD-EPBF Infineon | 407 ₽ | ||
IRG4PC50UDEPBF Infineon | 431 ₽ | ||
IRG4PC50UDEPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 55 А, TO-247AC
Краткое содержание документа:
PD 91471B
IRG4PC50UD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode · Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations · Industry standard TO-247AC package
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 55 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 55 А
- Current Temperature: 25°C
- Device Marking: IRG4PC50UD
- Fall Time Max: 110 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-247AC
- Power Dissipation: 200 Вт
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 220 А
- Rise Time: 25 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
IRG4PC50UDEPBF, IRG4PC50UD EPBF