Datasheet IRG4BC20FDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 16 А, TO-220 — Даташит

Купить IRG4BC20FDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 71 до 265 ₽ 29 предложений от 17 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Софт-Логистик Россия	IRG4BC20FDPBF, IGBT 600В 9А 1-8кГц TO220AB Infineon	153 ₽	Купить
Элрус Россия	IRG4BC20FDPBF Infineon	от 167 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRG4BC20FDPBF-EL	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRG4BC20FDPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, 600 В, 16 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94906
IRG4BC20FDPbF
Features
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations Industry standard TO-220AB package Lead-Free

Данные для моделирования

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 16 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.66 В
• Power Dissipation Max: 60 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 16 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time Max: 220 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Package / Case: TO-220
• Power Dissipation: 60 Вт
• Power Dissipation Pd: 60 Вт
• Pulsed Current Icm: 64 А
• Rise Time: 20 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5