Datasheet IRG4BC30FD1PBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 31 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRG4BC30FD1PBF
![]() 17 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | |||
IRG4BC30FD1PBF Infineon | 119 ₽ | ||
IRG4BC30FD1PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRG4BC30FD1PBF | по запросу | ||
IRG4BC30FD1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 31 А, TO-220
Краткое содержание документа:
IRG4BC30FD1PbF
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
C
PD - 95614A
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 31 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
- Power Dissipation Max: 100 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Current Ic Continuous a Max: 31 А
- Fall Time Max: 210 нс
- Package / Case: TO-220AB
- Power Dissipation: 100 Вт
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Pulsed Current Icm: 120 А
- Rise Time: 24 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5