Datasheet IRG4BC30UDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 23 А, TO-220 — Даташит

Купить IRG4BC30UDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 1 429 ₽ 37 предложений от 19 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
727GS Весь мир	IRG4BC30UDPBF Infineon	от 30 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRG4BC30UDPBF Infineon	102 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRG4BC30UDPBF International Rectifier	225 ₽	Купить
Элрус Россия	IRG4BC30UDPBF Infineon	от 943 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, 600 В, 23 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-94810
IRG4BC30UDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode · Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations · Industry standard TO-220AB package · Lead-Free

Данные для моделирования

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 23 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Power Dissipation Max: 100 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 23 А
• Current Temperature: 25°C
• Device Marking: IRG4BC30UDPbF
• Fall Time Max: 80 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: TO-220
• Power Dissipation: 100 Вт
• Power Dissipation Pd: 100 Вт
• Pulsed Current Icm: 92 А
• Rise Time: 21 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5