Datasheet IRG4BC30WPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 23 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRG4BC30WPBF
![]() 31 предложений от 17 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | |||
IGBT транзистор IRG4BC30WPBF SP001537038__#2 IRF Infineon | 80 ₽ | ||
IRG4BC30WPBF International Rectifier | 101 ₽ | ||
IRG4BC30WPBF, IGBT 600В 23А TO220AB Infineon | 127 ₽ | ||
IRG4BC30WPBF Infineon | от 130 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 23 А, TO-220
Краткое содержание документа:
PD - 95173A
IRG4BC30WPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies 50% reduction of Eoff parameter Low IGBT conduction losses Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability Lead-Free
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 23 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
- Power Dissipation Max: 100 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 23 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Max: 150 нс
- Fall Time tf: 150 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-220
- Power Dissipation: 100 Вт
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Pulsed Current Icm: 92 А
- Rise Time: 17 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5