Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRG4IBC20FDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, N — Даташит

International Rectifier IRG4IBC20FDPBF

Наименование модели: IRG4IBC20FDPBF

12 предложений от 12 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14.3A 34000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
T-electron
Россия и страны СНГ
IRG4IBC20FDPBF
Infineon
86 ₽
ЭИК
Россия
IRG4IBC20FDPBF
Infineon
299 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRG4IBC20FDPBF
International Rectifier
по запросу
Augswan
Весь мир
IRG4IBC20FDPBF
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, N

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -91750A
IRG4IBC20FD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· · · · Very Low 1.66V votage drop 2.5kV, 60s insulation voltage U 4.8 mm creapage distance to heatsink Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

· IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes · Tighter parameter distribution · Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM outline

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 14.3 А
  • Power Dissipation Max: 34 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • Количество выводов: 3
  • Current Ic Continuous a Max: 14.3 А
  • Package / Case: TO-220FP
  • Power Dissipation: 34 Вт
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRG4IBC20FDPBF - International Rectifier IGBT, N

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка