Datasheet IRG4IBC20FDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, N — Даташит
Наименование модели: IRG4IBC20FDPBF
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14.3A 34000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube | |||
IRG4IBC20FDPBF Infineon | 86 ₽ | ||
IRG4IBC20FDPBF Infineon | 299 ₽ | ||
IRG4IBC20FDPBF International Rectifier | по запросу | ||
IRG4IBC20FDPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, N
Краткое содержание документа:
PD -91750A
IRG4IBC20FD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· · · · Very Low 1.66V votage drop 2.5kV, 60s insulation voltage U 4.8 mm creapage distance to heatsink Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
· IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes · Tighter parameter distribution · Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM outline
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 14.3 А
- Power Dissipation Max: 34 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 14.3 А
- Package / Case: TO-220FP
- Power Dissipation: 34 Вт
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5