Datasheet HGTG27N120BN - Fairchild Даташит IGBT, N 72 А, 1200 В TO-247 — Даташит

Купить HGTG27N120BN на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 2 880 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT
AliExpress Весь мир	Новые оригинальные HGTG27N120BN G27N120BN или HGTG18N120BN G18N120BN или HGTG20N120CN G20N120CN TO-247 27 а 1200 в IGBT	48 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	HGTG27N120BN Fairchild	197 ₽	Купить
Akcel Весь мир	HGTG27N120BN ON Semiconductor	от 937 ₽	Купить
Utmel Весь мир	HGTG27N120BN ON Semiconductor	от 944 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, N 72 А, 1200 В TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HGTG27N120BN / HGT5A27N120BN
Data Sheet October 2004
72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
The HGTG27N120BN and HGT5A27N120BN are NonPunch Through (NPT) IGBT design.

This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors. Formerly Developmental Type TA49280.
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 72 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 500 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 72 А
• Package / Case: TO-247
• Power Dissipation: 500 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5