Datasheet HGTG30N60B3 - Fairchild Даташит TRANSISTOR, IGBT — Даташит

Купить HGTG30N60B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.93 до 2 069 ₽ 38 предложений от 28 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Триема Россия	HGTG30N60B3D-VB	283 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	HGTG30N60B3 ON Semiconductor	от 484 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	HGTG30N60B3D_04 Fairchild	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	HGTG30N60B3_Q Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: TRANSISTOR, IGBT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HGTG30N60B3
Data Sheet November 2004
60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
The HGTG30N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors.

This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors. Formerly Developmental Type TA49170.
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 60 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.45 В
• Power Dissipation Max: 208 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 60 А
• Package / Case: TO-247
• Power Dissipation: 208 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: NPN
• Voltage Vces: 1.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5