Datasheet HGTG40N60B3 - Fairchild Даташит IGBT, N 600 В TO-247 — Даташит

Купить HGTG40N60B3 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.34 до 41 239 ₽ 32 предложений от 17 поставщиков FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG40N60B3IGBT Single Transistor, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Romstore Россия, Беларусь	HGTG40N60B3	от 492 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	HGTG40N60B3 ON Semiconductor	от 1 350 ₽	Купить
Контест Россия	HGTG40N60B3	3 709 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	HGTG40N60B3 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, N 600 В TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HGTG40N60B3
Data Sheet November 2004 File Number
70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors.

The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors. Formerly Developmental Type TA49052.
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 70 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 290 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 70 А
• Package / Case: TO-247
• Power Dissipation: 290 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5