Datasheet IGW03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-247 — Даташит

Купить IGW03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 69 до 448 ₽ 17 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Зенер Россия и страны ТС	IGW03N120H2FKSA1 Infineon	346 ₽	Купить
Эиком Россия	IGW03N120H2FKSA1 Infineon	445 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IGW03N120H2	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	IGW03N120H2FKSA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGP03N120H2 IGW03N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
·
Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 9.6 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 62.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Current Ic Continuous a Max: 3.9 А
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: TO-247
• Power Dissipation: 62.5 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Fischer Elektronik - WLPG 02