Datasheet IKP01N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220 — Даташит

Купить IKP01N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 429 ₽ 8 предложений от 7 поставщиков HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
Maybo Весь мир	IKP01N120H2XKSA1 Infineon	429 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IKP01N120H2 Infineon	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IKP01N120H2XKSA1 Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IKP01N120H2	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IKP01N120H2
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
·
Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Pb-free lead plating; RoHS compliant 2 Qualified according to JEDEC for target applications Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 1200V IC 1A Eoff 0.09mJ Tj 150°C Marking K01H1202 Package PG-TO-220-3-1

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 3.2 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 28 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-220
• Current Ic Continuous a Max: 1.3 А
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: TO-220
• Power Dissipation: 28 Вт
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5