Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IKP10N60T - Infineon Даташит IGBT, N, 600 В, 10 А, TO-220 — Даташит

Infineon IKP10N60T

Наименование модели: IKP10N60T

15 предложений от 9 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 10A
ЗУМ-СМД
Россия
IKP10N60T
Infineon
53 ₽
AiPCBA
Весь мир
IKP10N60T
Infineon
68 ₽
ЧипСити
Россия
IKP10N60T
Infineon
72 ₽
Acme Chip
Весь мир
IKP10N60T
Infineon
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 600 В, 10 А, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IKP10N60T p
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
· · · ·

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 20 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
  • Power Dissipation Max: 110 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Current Ic Continuous a Max: 10 А
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case: TO-220
  • Power Dissipation: 110 Вт
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IKP10N60T - Infineon IGBT, N, 600 V, 10 A, TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России