Datasheet IKP10N60T - Infineon Даташит IGBT, N, 600 В, 10 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IKP10N60T
![]() 35 предложений от 16 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 10A | |||
IKP10N60T Infineon | 49 ₽ | ||
IKP10N60T Infineon | 70 ₽ | ||
IKP10N60T-VB | 283 ₽ | ||
K10T60 IKP10N60T Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, N, 600 В, 10 А, TO-220
Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IKP10N60T p
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
· · · ·
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 20 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
- Power Dissipation Max: 110 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Current Ic Continuous a Max: 10 А
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-220
- Power Dissipation: 110 Вт
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5