Datasheet 1MBI200S-120 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 200 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 200 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Fuji Semiconductor, Inc.

- P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com


Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT Module
• DC Collector Current: 300 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Power Dissipation Max: 1.3kW
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Корпус транзистора: M127
• Current Ic @ Vce Sat: 200 А
• Current Ic Continuous a Max: 300 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 62 мм
• Внешняя длина / высота: 35 мм
• Внешняя ширина: 108 мм
• Fall Time tf: 300 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation voltage: 2500 В
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: M127
• Power Dissipation: 1500 Вт
• Power Dissipation Pd: 1500 Вт
• Pulsed Current Icm: 600 А
• Rise Time: 600 нс
• Termination Type: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В
• Вес: 0.4kg

RoHS: есть

Варианты написания:

1MBI200S120, 1MBI200S 120