Datasheet 1MBI200S-120 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 200 А — Даташит
Наименование модели: 1MBI200S-120
IGBT MODULE 1200V / 200A / 1 in one package | |||
| 1MBI200S-120B Fujitsu | по запросу | ||
| 1MBI200S-120B | по запросу | ||
| 1MBI200S-120B Fuji Electric | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 200 А
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Fuji Semiconductor, Inc.
- P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT Module
- DC Collector Current: 300 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
- Power Dissipation Max: 1.3kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Корпус транзистора: M127
- Current Ic @ Vce Sat: 200 А
- Current Ic Continuous a Max: 300 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 62 мм
- Внешняя длина / высота: 35 мм
- Внешняя ширина: 108 мм
- Fall Time tf: 300 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Isolation voltage: 2500 В
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: M127
- Power Dissipation: 1500 Вт
- Power Dissipation Pd: 1500 Вт
- Pulsed Current Icm: 600 А
- Rise Time: 600 нс
- Termination Type: Screw
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
- Вес: 0.4kg
RoHS: есть
Варианты написания:
1MBI200S120, 1MBI200S 120
