Datasheet 1MBI600S-120 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 600 А — Даташит

Купить 1MBI600S-120 на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 4150000mW 4Pin
AllElco Electronics Весь мир	1MBI600S-120 Fuji	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	1MBI600S-120 Fuji	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	1MBI600S-120 Fuji Electric	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	1MBI600S-120 Fuji Electric	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 600 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
This datasheet has been downloaded from: www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.


Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT Module
• DC Collector Current: 900 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Power Dissipation Max: 4.15kW
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Корпус транзистора: M138
• Current Ic @ Vce Sat: 600 А
• Current Ic Continuous a Max: 900 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 80 мм
• Внешняя длина / высота: 35 мм
• Внешняя ширина: 110 мм
• Fall Time tf: 300 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Isolation voltage: 2500 В
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: M138
• Power Dissipation: 4150 Вт
• Power Dissipation Pd: 4150 Вт
• Pulsed Current Icm: 1800 А
• Rise Time: 600 нс
• Termination Type: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В
• Вес: 0.5kg

RoHS: есть

Варианты написания:

1MBI600S120, 1MBI600S 120