Datasheet FZ600R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В — Даташит
Наименование модели: FZ600R12KE3
![]() 25 предложений от 18 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLE | |||
FZ600R12KE3HOSA1 Infineon | 28 ₽ | ||
FZ600R12KE3HOSA1 Infineon | 13 028 ₽ | ||
FZ600R12KE3HOSA1 Infineon | от 25 090 ₽ | ||
FZ600R12KE3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT MODULE, 1200 В
Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FZ600R12KE3
&'( ) *+, &.
) 2 +, &. ) *+,
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT Module
- DC Collector Current: 900 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
- Power Dissipation Max: 2.8kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +125°C
- Корпус транзистора: Custom
- Current Ic Continuous a Max: 600 А
- Current Temperature: 80°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Package / Case: Custom
- Power Dissipation: 2800 Вт
- Power Dissipation Pd: 2800 Вт
- Pulsed Current Icm: 1200 А
- Rise Time: 90 нс
- Termination Type: Screw
- Voltage Vce Sat Typ: 1.7 В
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть