Datasheet GT10Q101 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(N) — Даташит

Toshiba GT10Q101

Наименование модели: GT10Q101

Купить GT10Q101 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 8 поставщиков Transistor 10 A, 1200 V, N-channel Igbt, Lead Free, 2-16C1C, 3 Pin, Insulated Gate Bip Transistor
Кремний Россия и страны СНГ	GT10Q101(Q)	по запросу
727GS Весь мир	GT10Q101	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	GT10Q101	по запросу
Augswan Весь мир	GT10Q101 Toshiba	по запросу

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT10Q101
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT10Q101
High Power Switching Applications
Unit: mm The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed: tf = 0.32 µs (max) Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max)

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 10 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
Power Dissipation Max: 140 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
Корпус транзистора: TO-3P (N)
Количество выводов: 3
Current Ic Continuous a Max: 10 А
Package / Case: TO-3P (N)
Pin Format: GCE
Power Dissipation: 140 Вт
Power Dissipation Pd: 140 Вт
Pulsed Current Icm: 20 А
Rise Time: 70 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N Channel
Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - TF 3 2
Fischer Elektronik - WLK 5