Datasheet GT15J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS — Даташит

Toshiba GT15J301

Наименование модели: GT15J301

Купить GT15J301 на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 9 поставщиков TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-10R1C-3, Insulated Gate BIP Transistor
AiPCBA Весь мир	GT15J301(Q) Toshiba	1 940 ₽
ChipWorker Весь мир	GT15J301(Q) Toshiba	1 940 ₽
Acme Chip Весь мир	GT15J301 Toshiba	по запросу
TradeElectronics Россия	GT15J301 Toshiba	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT15J301
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT15J301
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
l The 3rd Generation l Enhancement-Mode l High Speed l Low Saturation Voltage : tf = 0.30µs (Max.) (IC = 15A) : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) Unit: mm

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 15 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
Power Dissipation Max: 35 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Корпус транзистора: TO-220NIS
Current Ic Continuous a Max: 15 А
Fall Time Typ: 150 нс
Package / Case: TO-220NIS
Power Dissipation: 35 Вт
Power Dissipation Pd: 35 Вт
Pulsed Current Icm: 30 А
Rise Time: 120 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N Channel
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - WLPG 02