Datasheet GT15Q102 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(N) — Даташит
Наименование модели: GT15Q102
9 предложений от 9 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A DIS | |||
| GT15Q102(Q) Toshiba | 1 798 ₽ | ||
| GT15Q102_06 Toshiba | по запросу | ||
| GT15Q102 | по запросу | ||
| GT15Q102(Q) Toshiba | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N)
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
GT15Q102
Preliminary
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT15Q102
High Power Switching Applications
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 15 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
- Power Dissipation Max: 170 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-3P (N)
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 15 А
- Package / Case: TO-3P (N)
- Pin Format: GCE
- Power Dissipation: 170 Вт
- Power Dissipation Pd: 170 Вт
- Pulsed Current Icm: 30 А
- Rise Time: 50 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5
