Datasheet GT20J101 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит

Купить GT20J101 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 6 поставщиков Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
727GS Весь мир	GT20J101(Q) Toshiba	от 5.82 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	GT20J101 Toshiba	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	GT20J101 Toshiba	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	GT20J101	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT20J101
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT20J101
High Power Switching Applications
Unit: mm · · · · Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.30 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max)

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 130 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P (N)
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 20 А
• Package / Case: TO-3P (N)
• Pin Format: GCE
• Power Dissipation: 130 Вт
• Power Dissipation Pd: 130 Вт
• Pulsed Current Icm: 40 А
• Rise Time: 12 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5