Datasheet GT20J101 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит

Toshiba GT20J101

Наименование модели: GT20J101

Купить GT20J101 на РадиоЛоцман.Цены TRANSISTOR 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C-3, Insulated Gate BIP Transistor
Кремний Россия и страны СНГ	GT20J101	по запросу
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	GT20J101 Toshiba	по запросу
Akcel Весь мир	GT20J101 Toshiba	по запросу
Acme Chip Весь мир	GT20J101 Toshiba	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT20J101
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT20J101
High Power Switching Applications
Unit: mm · · · · Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.30 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max)

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 20 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
Power Dissipation Max: 130 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Корпус транзистора: TO-3P (N)
Количество выводов: 3
Current Ic Continuous a Max: 20 А
Package / Case: TO-3P (N)
Pin Format: GCE
Power Dissipation: 130 Вт
Power Dissipation Pd: 130 Вт
Pulsed Current Icm: 40 А
Rise Time: 12 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N Channel
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - TF 3 2
Fischer Elektronik - WLK 5