Datasheet GT25Q102 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(LH) — Даташит

Купить GT25Q102 на РадиоЛоцман.Цены — от 272 до 2 714 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Транзистор IGBT, TOSHIBA GT25Q102 IGBT Single Transistor, 25A, 2.7V, 200W, 1.2kV, TO-3P, 3Pins
МосЧип Россия	GT25Q102(Q) Toshiba	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	GT25Q102 Toshiba	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	GT25Q102 Toshiba	по запросу	Купить
727GS Весь мир	GT25Q102	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(LH)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT25Q102
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT25Q102
High Power Switching Applications
Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P (LH)
• Current Ic Continuous a Max: 25 А
• Fall Time Typ: 160 нс
• Package / Case: TO-3P (LH)
• Power Dissipation: 200 Вт
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Pulsed Current Icm: 50 А
• Rise Time: 100 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5